型号: IPW50R199CP
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表： IPW50R199CP
产品培训模块： CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
标准包装： 240
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： CoolMOS??
包装： 管件
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 550V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 17A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 199 毫欧 @ 9.9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3.5V @ 660µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 45nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1800pF @ 100V
功率 - 最大值： 139W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-247-3
供应商器件封装： PG-TO247-3
其它名称： IPW50R199CPFKSA1SP000236096
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