型号:  IPW60R099P6XKSA1

功能描述:  MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-247-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  600 V

Id-连续漏极电流:  37.9 A

Rds On-漏源导通电阻:  89 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  3.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  70 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  278 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  CoolMOS

封装:  Tube

高度:  21.1 mm

长度:  16.13 mm

系列:  CoolMOS P6

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  5.21 mm

商标:  Infineon Technologies

下降时间:  5 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  10 ns

工厂包装数量:  240

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  50 ns

典型接通延迟时间:  20 ns

零件号别名:  IPW60R099P6 SP001114658

单位重量:  38 g