型号:  IPW60R190E6FKSA1

功能描述:  Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R190E6FKSA1, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  20.2A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  3.5V @ 630µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  63nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：  10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1400pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：  100V

功率耗散（最大值）：  151W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  190 毫欧 @ 9.5A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  通孔

供应商器件封装：  PG-TO247-3

封装/外壳：  PG-TO247-3

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  20 A

最大漏源电压：  650 V

最大漏源电阻值：  440 m0hms

最大栅阈值电压：  3.5V

最小栅阈值电压：  2.5V

最大栅源电压：  -20 V、+20 V

封装类型：  TO-247

引脚数目：  3

晶体管配置：  单

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  151 W

最高工作温度：  +150 °C

最低工作温度：  -55 °C

长度：  16.13mm

每片芯片元件数目：  1

高度：  21.1mm

正向二极管电压：  0.9V

宽度：  5.21mm

尺寸：  16.13 x 5.21 x 21.1mm

晶体管材料：  Si

典型栅极电荷@Vgs：  63 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：  1400 pF @ 100 V

典型关断延迟时间：  90 ns

典型接通延迟时间：  12 ns

系列：  CoolMOS E6

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs