型号:  IPW65R080CFD

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  5030pF @ 100V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  391W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  80 毫欧 @ 17.6A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  通孔

封装/外壳：  PG-TO247-3

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：  700V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  43.3A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  4.5V @ 1.76mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  170nC @ 10V

安装风格：  ThroughHole

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：  650V

Id-连续漏极电流：  43.3A

Rds On-漏源导通电阻：  72mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：  3.5V

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

Qg-栅极电荷：  167nC

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +150C

配置：  Single

Pd-功率耗散：  391W

通道模式：  Enhancement

商标名：  CoolMOS

封装：  Tube

高度：  21.1mm

长度：  16.13mm

系列：  CoolMOSCFD2

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  5.21mm

下降时间：  6ns

上升时间：  18ns

典型关闭延迟时间：  85ns

典型接通延迟时间：  20ns

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs