型号:  IPW65R190E6

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

晶体管极性：  N-Channel

下降时间：  10 nS

栅极电荷 Qg：  73 nC

最小工作温度：  - 55 C

功率耗散：  151 W

上升时间：  12 nS

典型关闭延迟时间：  133 nS

零件号别名：  IPW65R190E6FKSA1 IPW65R190E6XK SP000863906

汲极/源极击穿电压：  700 V

闸/源击穿电压：  ± 20 V

漏极连续电流：  20.2 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）：  0.19 Ohms at 10 V

配置：  Single

最大工作温度：  + 150 C

安装风格：  Through Hole

封装/外壳：  PG-TO247-3

通道数量：  1Channel

Vds-漏源极击穿电压：  650V

Id-连续漏极电流：  20.2A

Rds On-漏源导通电阻：  190mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

Qg-栅极电荷：  73nC

Pd-功率耗散：  151W

商标名：  CoolMOS

封装：  Tube

高度：  21.1mm

长度：  16.13mm

系列：  CoolMOSE6

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  5.21mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs