型号: IPW65R190E6
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
晶体管极性: N-Channel
下降时间: 10 nS
栅极电荷 Qg: 73 nC
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 151 W
上升时间: 12 nS
典型关闭延迟时间: 133 nS
零件号别名: IPW65R190E6FKSA1 IPW65R190E6XK SP000863906
汲极/源极击穿电压: 700 V
闸/源击穿电压: ± 20 V
漏极连续电流: 20.2 A
电阻汲极/源极 RDS(导通): 0.19 Ohms at 10 V
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装/外壳: PG-TO247-3
通道数量: 1Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650V
Id-连续漏极电流: 20.2A
Rds On-漏源导通电阻: 190mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20V
Qg-栅极电荷: 73nC
Pd-功率耗散: 151W
商标名: CoolMOS
封装: Tube
高度: 21.1mm
长度: 16.13mm
系列: CoolMOSE6
晶体管类型: 1N-Channel
宽度: 5.21mm
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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