型号: IPW90R120C3
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 6800pF @ 100V
Vgs(最大值): ±20V
功率耗散(最大值): 417W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 120 毫欧 @ 26A,10V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: PG-TO247-3
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss): 900V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 36A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 3.5V @ 2.9mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 270nC @ 10V
安装风格: ThroughHole
通道数量: 1Channel
晶体管极性: N-Channel
Id-连续漏极电流: 36A
Rds On-漏源导通电阻: 120mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5V
Qg-栅极电荷: 270nC
最小工作温度: -55C
最大工作温度: +150C
配置: Single
Pd-功率耗散: 417W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
封装: Tube
高度: 21.1mm
长度: 16.13mm
系列: CoolMOSC3
晶体管类型: 1N-Channel
宽度: 5.21mm
下降时间: 25ns
上升时间: 20ns
典型关闭延迟时间: 400ns
典型接通延迟时间: 70ns
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人:韩雪
电话:18124047120
联系人:苏先生,李小姐
电话:18938644687
联系人:肖瑶,树平
电话:13926529829
联系人:胡小姐
电话:13724343501
联系人:朱小姐
电话:13725570869
联系人:杨丹妮
电话:18124040553
联系人:蔡经理,张小姐
电话:13378422395
联系人:李小姐,朱先生
电话:15889589108
联系人:庄宁宁
电话:15356238540
Q Q: