型号: IPZA60R120P7XKSA1
功能描述: MOSFET HIGH POWER_NEW
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: PG-TO-247-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 26 A
Rds On-漏源导通电阻: 100 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 36 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 95 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
晶体管类型: Power MOSFET
商标: Infineon Technologies
下降时间: 6 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 8 ns
工厂包装数量: 240
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 81 ns
典型接通延迟时间: 21 ns
零件号别名: IPZA60R120P7 SP001707744
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：魏小姐
电话：13590102923
Q Q:
联系人：钟小姐
电话：18025372575
Q Q:
联系人：刘蒙
电话：18098958123
Q Q:
