型号: IR11662SPBF
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
驱动配置： 低压侧
通道类型： 单路
驱动器数： 1
栅极类型： N 沟道 MOSFET
电压 - 电源： 11.4 V ~ 18 V
逻辑电压 - VIL，VIH： 2V，2.15V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）： 1A，4A
输入类型： 非反相
上升/下降时间（典型值）： 21ns，10ns
工作温度： -25°C ~ 125°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOIC8N
供应商器件封装： 8-SOIC
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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