型号:  IR2101STRPBF

功能描述:   MOSFET DRVR 600V 0.36A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R

制造商:  international rectifier

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  2,500

配置 ：  High and Low Side, Independent

Input 型 ：  Non-Inverting

延迟时间 ：  160ns

电流 - 峰值：  210mA

配置数：  1

输出数 ：  2

高压侧电压 - 马克斯（引导）：  600V

- 电源电压：  10 V ~ 20 V

操作温度 ：  -40°C ~ 125°C

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

供应商器件封装：  8-SOICN

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  8SOIC

驱动器类型：  High and Low Side

驱动程序配置：  Non-Inverting

输出数：  2

最大工作电源电压：  20 V

最低工作电源电压：  10 V

峰值输出电流：  0.36(Typ) A

最大功率耗散：  625 mW

输入逻辑相容性：  CMOS|LSTTL|3.3V(Min)|5V|15V

最大上升时间：  170 ns

最大开启延迟时间：  50 ns

最大下降时间：  90 ns

最大电源电流：  0.27 mA

工作温度：  -40 to 125 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

安装类型：  Surface Mount

配置数：  1

供应商设备封装：  8-SOIC N

封装：  Tape & Reel (TR)

电压 - 电源：  10 V ~ 20 V

输入类型：  Non-Inverting

高端电压 - 最大值（自启动）：  600V

封装/外壳：  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

配置：  High and Low Side, Independent

电流 - 峰值：  210mA

延迟时间：  160ns

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  IR2101SPBFDKR

工厂包装数量：  2500

类型：  High Side/Low Side

最大关闭延迟时间：  220 ns

下降时间：  50 ns

产品：  MOSFET Gate Drivers

最高工作温度：  + 125 C

电源电压 - 最大：  20 V

电源电压 - 最小：  10 V

RoHS：  RoHS Compliant

输出电流：  0.36 A

驱动器数：  2

安装风格：  SMD/SMT

输出电压：  10 V to 20 V

最低工作温度：  - 40 C

上升时间：  100 ns

电源电流：  30 uA

输入逻辑电平：  CMOS/LSTTL

功率耗散：  0.625 W

工作温度范围：  -40C to 125C

包装类型：  SOIC

引脚数：  8

启动时间（最大值）：  50 us

传播延迟时间：  220 ns

工作温度分类：  Automotive

关断延迟时间：  50 ms

弧度硬化：  No

工作电源电压（最小值）：  10 V

工作电源电压（最大值）：  20 V

设备类型：  :IGBT, MOSFET

Module Configuration：  :High and Low Side

Supply Voltage Min：  :10V

Supply Voltage Max：  :20V

Driver Case Style：  :SOIC

No. of Pins：  :8

Input Delay：  :160ns

Output Delay：  :150ns

Operating Temperature Min：  :-40°C

Operating Temperature Max：  :125°C

MSL：  :MSL 2 - 1 year

SVHC：  :No SVHC (20-Jun-2013)

Weight (kg)：  2.27