型号:  IR2112STRPBF

功能描述:   MOSFET DRVR 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 16-Pin SOIC W T/R

制造商:  international rectifier

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  1,000

配置 ：  High and Low Side, Independent

Input 型 ：  Non-Inverting

延迟时间 ：  125ns

电流 - 峰值：  250mA

配置数：  1

输出数 ：  2

高压侧电压 - 马克斯（引导）：  600V

- 电源电压：  10 V ~ 20 V

操作温度 ：  -40°C ~ 125°C

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)

供应商器件封装：  16-SOIC

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  16SOIC W

驱动器类型：  High and Low Side

驱动程序配置：  Non-Inverting

输出数：  2

最大工作电源电压：  20 V

最低工作电源电压：  10 V

峰值输出电流：  0.5(Typ) A

最大功率耗散：  1250 mW

输入逻辑相容性：  CMOS|LSTTL|3.3V(Min)

最大上升时间：  130 ns

最大开启延迟时间：  30 ns

最大下降时间：  65 ns

最大电源电流：  0.18 mA

工作温度：  -40 to 125 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最大关闭延迟时间：  30

标准包装名称：  SOIC W

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大传播延迟时间：  180

最低工作温度：  -40

最大功率耗散：  1250

驱动器数：  2

最大下降时间：  65

封装：  Tape and Reel

最大开启延迟时间：  30

供应商封装形式：  SOIC W

最高工作温度：  125

最大工作电源电压：  20

最大上升时间：  130

最低工作电源电压：  10

引脚数：  16

峰值输出电流：  0.5(Typ)

铅形状：  Gull-wing

安装类型：  Surface Mount

配置数：  1

供应商设备封装：  16-SOIC

电压 - 电源：  10 V ~ 20 V

输入类型：  Non-Inverting

高端电压 - 最大值（自启动）：  600V

封装/外壳：  16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

配置：  High and Low Side, Independent

电流 - 峰值：  250mA, 500mA

延迟时间：  125ns

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  IR2112SPBFDKR

工厂包装数量：  1000

类型：  High Side/Low Side

最大关闭延迟时间：  160 ns

下降时间：  65 ns

产品：  MOSFET Gate Drivers

最高工作温度：  + 125 C

电源电压 - 最大：  20 V

电源电压 - 最小：  10 V

RoHS：  RoHS Compliant

输出电流：  200 mA

安装风格：  SMD/SMT

输出电压：  10 V to 20 V

最低工作温度：  - 40 C

上升时间：  130 ns

电源电流：  0.18 mA

设备类型：  :IGBT, MOSFET

Module Configuration：  :High Side, Low Side

Supply Voltage Min：  :10V

Supply Voltage Max：  :20V

Driver Case Style：  :SOIC

No. of Pins：  :16

MSL：  :-

Weight (kg)：  0