型号: IR2118
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
驱动配置： 高压侧
通道类型： 单路
驱动器数： 1
栅极类型： IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 电源： 10 V ~ 20 V
逻辑电压 - VIL，VIH： 6V，9.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）： 250mA，500mA
输入类型： 反相
高压侧电压 - 最大值（自举）： 600V
上升/下降时间（典型值）： 80ns，40ns
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： PDIP8
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：彭先生，许娜
电话：19068068798
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：聂绍明
电话：13823729687
Q Q:
联系人：林艳，朱先生
电话：13480719817
Q Q:
联系人：庄小姐
电话：15012884847
Q Q:
