型号: IR2118
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
驱动配置： 高压侧
通道类型： 单路
驱动器数： 1
栅极类型： IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 电源： 10 V ~ 20 V
逻辑电压 - VIL，VIH： 6V，9.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）： 250mA，500mA
输入类型： 反相
高压侧电压 - 最大值（自举）： 600V
上升/下降时间（典型值）： 80ns，40ns
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： PDIP8
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：欧阳小姐，elen
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Q Q:
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联系人：廖先生
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Q Q:
