型号: IR2130J
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
驱动配置： 半桥
通道类型： 3 相
驱动器数： 6
栅极类型： IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 电源： 10 V ~ 20 V
逻辑电压 - VIL，VIH： 0.8V，2.2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）： 250mA，500mA
输入类型： 反相
高压侧电压 - 最大值（自举）： 600V
上升/下降时间（典型值）： 80ns，35ns
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： PLCC44
供应商器件封装： 44-PLCC，32 引线（16.58x16.58）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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