型号: IR2213S
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
驱动配置： 半桥
通道类型： 独立式
驱动器数： 2
栅极类型： IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 电源： 12 V ~ 20 V
逻辑电压 - VIL，VIH： 6V，9.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）： 2A，2.5A
输入类型： 非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）： 1200V
上升/下降时间（典型值）： 25ns，17ns
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOIC16W
供应商器件封装： 16-SOIC
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：李小姐
电话：15302619915
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：张女士
电话：18137590172
Q Q:
联系人：张盛展
电话：13502840920
Q Q:
联系人：李木钦
电话：15919889984
Q Q:
