型号: IRF100P219XKMA1
功能描述: MOSFET TRENCH_MOSFETS
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247AC-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 304 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 180 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 341 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 224 S
下降时间: 80 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 90 ns
工厂包装数量: 400
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 100 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
零件号别名: IRF100P219 SP001619552
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