型号: IRF1010ESPBF
功能描述: MOSFET 60V SGL N-CH HEXFET Pwr MOSFET
制造商: International Rectifier
晶体管极性： N-Channel
汲极/源极击穿电压： 60 V
闸/源击穿电压： 20 V
漏极连续电流： 83 A
导通电阻： 12 mOhms
配置： Single
最大工作温度： + 175 C
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体： D2PAK
封装： Tube
商标： International Rectifier
下降时间： 53 ns
栅极电荷 Qg： 86.6 nC
最小工作温度： - 55 C
功率耗散： 170 W
上升时间： 78 ns
工厂包装数量： 50
典型关闭延迟时间： 48 ns
ROHS： 无铅
联系人：肖瑶，树平
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