型号:  IRF1010NSTRRPBF

功能描述:  MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 80nC

制造商:  Infineon / IR

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-252-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  55 V

Id-连续漏极电流:  84 A

Rds On-漏源导通电阻:  11 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  80 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  3.8 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  2.3 mm

长度:  6.5 mm

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  HEXFET Power MOSFET

宽度:  6.22 mm

商标:  Infineon / IR

下降时间:  48 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  76 ns

工厂包装数量:  800

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  39 ns

典型接通延迟时间:  13 ns

零件号别名:  SP001570042

单位重量:  4 g