型号:  IRF1104LPBF

功能描述:  N 通道功率 MOSFET 超过 100A，International Rectifier International Rectifier 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 MOSFET 晶体管，International Rectifier International Rectifier 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度 1000 ，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

制造商:  International Rectifier

封装:  TO-262

功耗:  170 W

上升时间:  114 ns

额定电压(DC):  40.0 V

极性:  N-Channel

漏源极电� 1000 �(Vds):  40.0 V

额定电流:  100 A

漏源击穿电压:  40.0 V

连续漏极电流(Ids):  100 A

零部件系列:  IRF1104L

安装方式:  Through Hole

包装方式:  Bulk

含铅标准:  Lead Free

RoHS标准:  Compliant

产品生命周期:  Active