型号: IRF130
功能描述: IRF130 Series 100 V 0.18 Ohm 12 nC Through Hole N-Channel Power MOSFET - TO-3
制造商: Infineon Technologies
系列： HEXFET®
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
DraintoSourceVoltage(Vdss)： 20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 174A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 120nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 3600pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 200W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 4 毫欧 @ 104A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-204AA
无铅情况/RoHs： 否
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