型号: IRF130
功能描述: IRF130 Series 100 V 0.18 Ohm 12 nC Through Hole N-Channel Power MOSFET - TO-3
制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
DraintoSourceVoltage(Vdss): 20V
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 174A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 120nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 3600pF @ 25V
Vgs(最大值): ±20V
功率耗散(最大值): 200W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 4 毫欧 @ 104A,10V
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-204AA
无铅情况/RoHs: 否
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