型号:  IRF2805STRLPBF

功能描述:  N-Channel 55 V 4.7 mOhm 200 W Surface Mount HEXFET® Power MOSFET - TO-262

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  D2PAK

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  55V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  135A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  230nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  5110pF @ 25V

功率耗散（最大值）：  200W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  4.7 毫欧 @ 104A，10V

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

系列：  HEXFET®

FET类型：  N 沟道

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  135A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  230nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  5110pF @ 25V

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  4.7 毫欧 @ 104A，10V

封装形式Package：  D2PAK

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  55V

连续漏极电流ID：  135A

供应商器件封装：  D2PAK

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：  10V

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：  25V

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs