型号: IRF3610STRLPBF
功能描述: Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET IRF3610STRLPBF, 103 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
制造商: Infineon Technologies
封装/外壳: D2PAK
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 103A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 11.6 毫欧 @ 62A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 150nC @ 10V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 5380pF @ 25V
功率耗散(最大值): 333W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: D2PAK
通道类型: N
最大连续漏极电流: 103 A
最大漏源电压: 100 V
最大漏源电阻值: 11.6 m0hms
最大栅阈值电压: 4V
最小栅阈值电压: 2V
最大栅源电压: -20 V、+20 V
封装类型: D2PAK (TO-263)
引脚数目: 3
通道模式: 增强
类别: 功率 MOSFET
最大功率耗散: 333 W
正向跨导: 110S
正向二极管电压: 1.3V
最低工作温度: -55 °C
尺寸: 10.67 x 9.65 x 4.83mm
每片芯片元件数目: 1
宽度: 9.65mm
系列: HEXFET
典型栅极电荷@Vgs: 100 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds: 5380 pF @ 25 V
典型关断延迟时间: 77 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
最高工作温度: +175 °C
高度: 4.83mm
长度: 10.67mm
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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