型号:  IRF3703PBF

功能描述:  MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-220-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  210 A

Rds On-漏源导通电阻:  2.8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  209 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  230 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Tube

高度:  15.65 mm

长度:  10 mm

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  Smps MOSFET

宽度:  4.4 mm

商标:  Infineon Technologies

下降时间:  24 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  123 ns

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  53 ns

典型接通延迟时间:  18 ns

零件号别名:  SP001574662

单位重量:  6 g