型号:  IRF3707ZSPBF

功能描述:  Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3707ZSPBF, 59 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  59A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2.25V @ 25µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  15nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1210pF @ 15V

功率耗散（最大值）：  57W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  9.5 毫欧 @ 21A，10V

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  D2PAK

封装/外壳：  D2PAK

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  59 A

最大漏源电压：  30 V

最大漏源电阻值：  10 m0hms

最大栅阈值电压：  2.25V

最小栅阈值电压：  1.35V

最大栅源电压：  -20 V、+20 V

封装类型：  D2PAK (TO-263)

引脚数目：  3

晶体管配置：  单

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  57 W

高度：  4.83mm

每片芯片元件数目：  1

尺寸：  10.67 x 9.65 x 4.83mm

宽度：  9.65mm

系列：  HEXFET

晶体管材料：  Si

典型栅极电荷@Vgs：  9.7 nC @ 4.5 V

典型输入电容值@Vds：  1210 pF@ 15 V

典型关断延迟时间：  12 ns

典型接通延迟时间：  9.8 ns

最低工作温度：  -55 °C

最高工作温度：  +175 °C

长度：  10.67mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs