型号:  IRF3717HR

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC

制造商:  international rectifier

包装：  8SOIC

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  20 V

最大连续漏极电流：  20 A

RDS -于：  4.4@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  12 ns

典型上升时间：  14 ns

典型关闭延迟时间：  15 ns

典型下降时间：  6 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Rail / Tube

Categoria：  Power MOSFET

Dissipazione massima della potenza ：  2500

符合UE：  Not Compliant

包装宽度：  4(Max)

Corrente di drain continua massima ：  20

诺姆标准苏拉confezione：  SOIC

包装高度：  1.5(Max)

Montaggio：  Surface Mount

Massima temperatura d'esercizio ：  150

Temperatura d'esercizio minima ：  -55

Resistenza di sorgente di drain massima ：  4.4@10V

TIPO二运河：  N

经conduttore：  Gull-wing

每个芯片NUMERO二培元：  1

Confezione fornitore：  SOIC

Modalità canale：  Enhancement

PCB：  8

包装长度：  5(Max)

Massima tensione di drain alla fonte ：  20

Tensione di fonte gate massima ：  ±20

NUMERO DEI针：  8

连续漏极电流：  20 A

栅源电压（最大值）：  �20 V

功率耗散：  2.5 W

工作温度范围：  -55C to 150C

包装类型：  SOIC

引脚数：  8

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military

漏源导通电压：  20 V

弧度硬化：  No