型号:  IRF40H210

功能描述:  IRF40H210 Series 40 V 1.7 mOhm Surface Mount HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5x6 mm

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  PG-TDSON-8

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  6V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  1.7 毫欧 @ 100A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  3.7V @ 150µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  152nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  5406pF @ 25V

功率耗散（最大值）：  125W（Tc）

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

系列：  HEXFET®，StrongIRFET™

FET类型：  N 沟道

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  100A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  6V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  3.7V @ 150µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  152nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  5406pF @ 25V

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  1.7 毫欧 @ 100A，10V

封装形式Package：  QFN

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  40V

连续漏极电流ID：  201A

供应商器件封装：  8-PQFN（5x6）

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs