型号: IRF5810TR
功能描述: International Rectifier/分立半导体产品
制造商: International Rectifier
设计资源: IRF5810TR Saber Model IRF5810TR Spice Model
标准包装: 3,000
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 阵列
系列: HEXFET®
包装: 带卷(TR)
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 2.9A
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 90 毫欧 @ 2.9A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 9.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 650pF @ 16V
功率 - 最大值: 960mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装: 6-TSOP
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