型号: IRF5852TR
功能描述: International Rectifier/分立半导体产品
制造商: International Rectifier
设计资源： IRF5852TR Saber Model IRF5852TR Spice Model
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 阵列
系列： HEXFET®
包装： 带卷（TR）
FET 类型： 2 个 N 沟道（双）
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 2.7A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 90 毫欧 @ 2.7A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.25V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 400pF @ 15V
功率 - 最大值： 960mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装： 6-TSOP
联系人：董先生
电话：18098996457
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联系人：林先生
电话：15913992480
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联系人：肖瑶，树平
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联系人：蔡经理，张小姐
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