型号:  IRF60DM206

功能描述:  MOSFET 60V, 130A, DirectFET 2.9mOhm, 133nC Og

制造商:  Infineon / IR

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  DirectFET-ME

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  130 A

Rds On-漏源导通电阻:  2.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  3 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  133 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  96 W

配置:  Single

商标名:  StrongIRFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.7 mm

长度:  6.35 mm

宽度:  5.05 mm

商标:  Infineon / IR

正向跨导 - 最小值:  148 S

下降时间:  30 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  32 ns

工厂包装数量:  4800

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  60 ns

典型接通延迟时间:  17 ns

零件号别名:  SP001561876