型号: IRF610PBF
功能描述: MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET
制造商: Vishay / Siliconix
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 3.3 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 8.2 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 36 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
系列: IRF
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值: 0.8 S
下降时间: 8.9 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 17 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 14 ns
典型接通延迟时间: 8.2 ns
单位重量: 6 g
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