型号: IRF620PBF
功能描述: MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET
制造商: Vishay / Siliconix
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 5.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 800 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 14 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 50 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
系列: IRF
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值: 1.5 S
下降时间: 13 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 22 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 19 ns
典型接通延迟时间: 7.2 ns
单位重量: 6 g
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：颜
电话：13530145723
Q Q:
联系人：岑小姐
电话：13549236572
Q Q:
联系人：彭伟平
Q Q:
