型号: IRF6216TR
功能描述: Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
制造商: International Rectifier
最大门源电压: ±20
安装: Surface Mount
包装宽度: 4(Max)
PCB: 8
最大功率耗散: 2500
最大漏源电压: 150
欧盟RoHS指令: Not Compliant
最大漏源电阻: 240@10V
每个芯片的元件数: 1
最低工作温度: -55
供应商封装形式: SOIC
标准包装名称: SOIC
最高工作温度: 150
渠道类型: P
包装长度: 5(Max)
引脚数: 8
通道模式: Enhancement
包装高度: 1.5(Max)
最大连续漏极电流: 2.2
封装: Tape and Reel
铅形状: Gull-wing
漏极电流(最大值): 2.2 A
频率(最大): Not Required MHz
栅源电压(最大值): �20 V
输出功率(最大): Not Required W
功率耗散: 2.5 W
噪声系数: Not Required dB
漏源导通电阻: 0.24 ohm
工作温度范围: -55C to 150C
包装类型: SOIC
极性: P
类型: Power MOSFET
元件数: 1
工作温度分类: Military
漏极效率: Not Required %
漏源导通电压: 150 V
功率增益: Not Required dB
弧度硬化: No
连续漏极电流: 2.2 A
删除: Not Compliant
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