型号: IRF6218PBF
功能描述: MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 150mOhms 21nC
制造商: Infineon / IR
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 27 A
Rds On-漏源导通电阻: 150 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 21 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 250 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
晶体管类型: 1 P-Channel
类型: Smps MOSFET
宽度: 4.4 mm
商标: Infineon / IR
下降时间: 30 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 70 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 35 ns
典型接通延迟时间: 21 ns
零件号别名: SP001564812
单位重量: 6 g
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