型号:  IRF630

功能描述:  MOSFET N-Ch 200 Volt 10 Amp

制造商:  STMicroelectronics

制造商:  STMicroelectronics

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-220-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  200 V

Id-连续漏极电流:  9 A

Rds On-漏源导通电阻:  400 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  31 nC

最小工作温度:  - 65 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  75 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

高度:  9.15 mm

长度:  10.4 mm

系列:  IRF630

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  MOSFET

宽度:  4.6 mm

商标:  STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:  3 S

产品类型:  MOSFET

上升时间:  15 ns

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型接通延迟时间:  10 ns

单位重量:  330 mg