型号: IRF630FP
功能描述: STMicroelectronics/分立半导体产品
制造商: STMicroelectronics
其它有关文件: IRF630FP View All Specifications
标准包装: 50
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: MESH OVERLAY? II
包装: 管件
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 9A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 400 毫欧 @ 4.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 45nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 700pF @ 25V
功率 - 最大值: 30W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商器件封装: TO-220FP
其它名称: 497-12489-5IRF630FP-ND
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