型号: IRF630STRR
功能描述:
制造商: Vishay
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 43nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 800pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 3W（Ta），74W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 400 毫欧 @ 5.4A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： D²PAK（TO-263）
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13332931905
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：小柯
电话：13332931905
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：赵晶
电话：13652365007
Q Q:
联系人：龙小平,朱先生
电话：19868271275
Q Q:
联系人：陈嘉杰
Q Q:
