型号: IRF640STRLPBF
功能描述: Single N-Channel 200 V 0.18 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
制造商: Vishay
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 18A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 70nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1300pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），130W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 180 毫欧 @ 11A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
封装形式Package： D2PAK
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 200V
连续漏极电流ID： 18A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：王小康
电话：18188642307
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：王小姐，陈先生
电话：15989811809
Q Q:
联系人：Aivi
Q Q:
联系人：陈生
电话：13713737568
Q Q:
