型号: IRF6609TR1
功能描述: International Rectifier/分立半导体产品
制造商: International Rectifier
产品培训模块： Discrete Power MOSFETs 40V and Below
设计资源： IRF6609 Saber Model IRF6609 Spice Model
标准包装： 1,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： HEXFET®
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 31A（Ta），150A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 2 毫欧 @ 31A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.45V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 69nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 6290pF @ 10V
功率 - 最大值： 1.8W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： DirectFET? 等容 MT
供应商器件封装： DIRECTFET? MT
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