型号: IRF6613
功能描述: International Rectifier/分立半导体产品
制造商: International Rectifier
产品培训模块： Discrete Power MOSFETs 40V and Below
设计资源： IRF6613 Saber Model IRF6613 Spice Model
标准包装： 4,800
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： HEXFET®
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 23A（Ta），150A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 3.4 毫欧 @ 23A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.25V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 63nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 5950pF @ 15V
功率 - 最大值： 2.8W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： DirectFET? 等容 MT
供应商器件封装： DIRECTFET? MT
联系人：欧阳小姐，elen
电话：18664962775
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：贺文华
电话：13066866558
Q Q:
联系人：廖元伟
电话：13520508180
Q Q:
联系人：李生
电话：13922231491
Q Q:
