型号:  IRF6623TRPBF

功能描述:  MOSFET 20V 1 N-CH 5.7mOhm DirectFET 11nC

制造商:  Infineon / IR

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  DirectFET-ST

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  16 A

Rds On-漏源导通电阻:  9.7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  11 nC

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  42 W

配置:  Single

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.7 mm

长度:  4.85 mm

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  3.95 mm

商标:  Infineon / IR

正向跨导 - 最小值:  34 S

下降时间:  4.5 ns

湿度敏感性:  Yes

产品类型:  MOSFET

上升时间:  40 ns

工厂包装数量:  4800

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  12 ns

典型接通延迟时间:  9.7 ns

零件号别名:  SP001526818