型号: IRF6633
功能描述: DirectFET Power MOSFET
制造商: IRF [International Rectifier]
典型关断延迟时间: 12 ns
典型接通延迟时间: 9.7 ns
典型栅极电荷@Vgs: 11 nC V @ 4.5
典型输入电容值@Vds: 1250 pF V @ 10
安装类型: 表面贴装
宽度: 5.05mm
封装类型: DirectFET MP
尺寸: 5.45 x 5.05 x 0.6mm
引脚数目: 7
最低工作温度: -40 °C
最大功率耗散: 2300 mW
最大栅源电压: ±20 V
最大漏源电压: 20 V
最大漏源电阻值: 0.006
最大连续漏极电流: 16 A
最高工作温度: +150 °C
每片芯片元件数目: 1
类别: 功率 MOSFET
通道模式: 增强
通道类型: N
配置: 双源、四漏极、单
长度: 5.45mm
高度: 0.6mm
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