型号:  IRF6645TR1PBF

功能描述:  International Rectifier/分立半导体产品

制造商:  International Rectifier

产品培训模块：  High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)

设计资源：  IRF6645 Saber Model IRF6645 Spice Model

标准包装：  1,000

类别：  分立半导体产品

家庭：  FET - 单

系列：  HEXFET®

包装：  带卷（TR）

FET 类型：  MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：  标准

漏源极电压（Vdss）：  100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  5.7A（Ta），25A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：  35 毫欧 @ 5.7A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  4.9V @ 50µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：  20nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：  890pF @ 25V

功率 - 最大值：  3W

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  DirectFET? 等容 SJ

供应商器件封装：  DIRECTFET? SJ

配用：  IRAUDAMP5-ND - BOARD DEMO IRS2092S/IRF6645IRAUDAMP4-ND - KIT 2CH 120W HALF BRDG AUDIO AMP

其它名称：  IRF6645TR1PBFTR