型号:  IRF6662TRPBF

功能描述:  MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MZ

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  DirectFET-MZ

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  100 V

Id-连续漏极电流:  8.3 A

Rds On-漏源导通电阻:  17.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  22 nC

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  89 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  DirectFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.7 mm

长度:  6.35 mm

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  5.05 mm

商标:  Infineon Technologies

下降时间:  5.9 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  7.5 ns

工厂包装数量:  4800

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  24 ns

典型接通延迟时间:  11 ns

零件号别名:  SP001576850