型号:  IRF6706S2TR1PBF

功能描述:  International Rectifier/分立半导体产品

制造商:  International Rectifier

产品培训模块：  Discrete Power MOSFETs 40V and Below

设计资源：  IRF6706S2TR1PBF Saber Model IRF6706S2TR1PBF Spice Model

标准包装：  1,000

类别：  分立半导体产品

家庭：  FET - 单

系列：  HEXFET®

包装：  带卷（TR）

FET 类型：  MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：  逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：  25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  17A（Ta），63A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：  3.8 毫欧 @ 17A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2.35V @ 25µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：  20nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：  1810pF @ 13V

功率 - 最大值：  1.8W

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  DirectFET? 等容 S1

供应商器件封装：  DIRECTFET S1

其它名称：  IRF6706S2TR1PBFTR