型号:  IRF6718L2TR1PBF

功能描述:  International Rectifier/分立半导体产品

制造商:  International Rectifier

产品培训模块：  High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below

设计资源：  IRF6718L2TR1PBF Saber Model IRF6718L2TR1PBF Spice Model

特色产品：  IRF6718 DirectFET? MOSFET

标准包装：  1,000

类别：  分立半导体产品

家庭：  FET - 单

系列：  HEXFET®

包装：  带卷（TR）

FET 类型：  MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：  逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：  25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  61A（Ta），270A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：  0.7 毫欧 @ 61A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2.35V @ 150µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：  96nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：  6500pF @ 13V

功率 - 最大值：  4.3W

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  DirectFET? 等距 L6

供应商器件封装：  DIRECTFET L6

其它名称：  IRF6718L2TR1PBFTR