型号:  IRF6785MTRPBF

功能描述:  MOSFET 200V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio

制造商:  Infineon / IR

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  DirectFET-MZ

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  200 V

Id-连续漏极电流:  19 A

Rds On-漏源导通电阻:  85 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  26 nC

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  57 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  DirectFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.7 mm

长度:  6.35 mm

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  5.05 mm

商标:  Infineon / IR

下降时间:  14 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  8.6 ns

工厂包装数量:  4800

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  7.2 ns

典型接通延迟时间:  6.2 ns

零件号别名:  SP001562032