IRF6892STR1PBF规格参数_IRF6892STR1PBF全国代理商/分销商

型号: IRF6892STR1PBF
功能描述: International Rectifier/分立半导体产品
制造商: International Rectifier
产品培训模块： High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below
标准包装： 1,000
类别：分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： HEXFET®
包装：带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 28A（Ta），125A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 1.7 毫欧 @ 28A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.1V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 25nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 2510pF @ 13V
功率 - 最大值： 2.1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳： DirectFET? 等容 S3C
供应商器件封装： DIRECTFET? S3C
其它名称： IRF6892STR1PBF-ND