型号: IRF7103IPBF
功能描述: HEXFET Power MOSFET
制造商: International Rectifier
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 50 V
闸/源击穿电压: 20 V
漏极连续电流: 3 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 200 mOhms
配置: Dual
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
栅极电荷 Qg: 12 nC
功率耗散: 2 W
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Q Q:
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Q Q:
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Q Q:
