型号: IRF7313TRPBF-1
功能描述: MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC
制造商: Infineon Technologies
包装: 标准卷带
系列: HEXFET®
零件状态: 最後搶購
FET 类型: 2 N-通道（双）
FET 功能: 标准
漏源电压（Vdss）: 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 6.5A（Ta）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 29 毫欧 @ 5.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 33nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 650pF @ 25V
功率 - 最大值: 2W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装: 8-SO
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