型号: IRF7341QPBF
功能描述: HEXFET㈢ Power MOSFET
制造商: International Rectifier
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 55 V
闸/源击穿电压: 20 V
漏极连续电流: 5.1 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 65 mOhms
配置: Dual
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
栅极电荷 Qg: 29 nC
功率耗散: 2.4 W
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：张巧云
电话：13534237128
Q Q:
联系人：龙小平,朱先生
电话：19868271275
Q Q:
联系人：赵
Q Q:
