型号: IRF7341QPBF
功能描述: HEXFET㈢ Power MOSFET
制造商: International Rectifier
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 55 V
闸/源击穿电压: 20 V
漏极连续电流: 5.1 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 65 mOhms
配置: Dual
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
栅极电荷 Qg: 29 nC
功率耗散: 2.4 W
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