型号: IRF7413QPBF
功能描述: Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7413QPBF, 13 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
制造商: Infineon Technologies
通道类型： N
最大连续漏极电流： 13 A
最大漏源电压： 30 V
最大漏源电阻值： 11 m0hms
最大栅阈值电压： 3V
最小栅阈值电压： 1V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： SOIC
安装类型： 表面贴装
引脚数目： 8
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 2.5 W
最低工作温度： -55 °C
最高工作温度： +150 °C
每片芯片元件数目： 1
长度： 5mm
高度： 1.5mm
系列： HEXFET
宽度： 4mm
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 52 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 1800 pF@ 25 V
典型关断延迟时间： 52 ns
典型接通延迟时间： 8.6 ns
尺寸： 5 x 4 x 1.5mm
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：吴小姐，曹先生
电话：18207603663
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13510157626
Q Q:
联系人：刘勇
电话：33253606
Q Q:
联系人：林
电话：18123937529
Q Q:
联系人：李锦
电话：028-86519933
Q Q:
