型号: IRF7503TRPBF
功能描述: Double HexFet 30 V 1.25 W 12 nC Silicon Surface Mount Mosfet - MICRO-8
制造商: Infineon Technologies
封装/外壳: MICRO8
FET 类型: 2 个 N 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 2.4A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 135 毫欧 @ 1.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 210pF @ 25V
功率 - 最大值: 1.25W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
系列: HEXFET®
FET类型: 2 个 N 沟道(双)
FET功能: 逻辑电平门
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 135 毫欧 @ 1.7A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 12nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 210pF @ 25V
功率-最大值: 1.25W
封装形式Package: Micro
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 30V
连续漏极电流ID: 2.4A
供应商器件封装: Micro8™
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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